三星或将在2纳米阶段弯道超车台积电

外媒指出，因三星3 纳米先采用全环绕栅极晶体管（Gate-all-around，GAA）制程，芯片代工龙头台积电预计2 纳米才开始使用GAA 制程，此提高芯片运算效能及降低功耗的技术，将成为先进半导体制程竞争的新战场，也成为三星领先台积电的关键。

韩国媒体《BusinessKorea》报道，相较鳍式晶体管(FinFET)，GAA 是金属闸极全面性包覆，为环状结构，比FinFET 金属闸极只包覆3 面来说，增加更多半导体电路，再以闸极包覆纳米线，提高电路控制和稳定性，提升芯片运算效能，并降低芯片功耗。

因GAA 技术是半导体制程革新，因此被三星视为超车台积电的重要武器。报道指出，虽然就3 纳米制程发展状况，台积电开始与苹果、英特尔合作3 纳米制程测试，预计2022 下半年量产，而三星3 纳米制程最快要到2022 年才会推出，正式量产时间则到2023 年，仍旧落后台积电。英特尔目前还在7 纳米制程，落后台积电与三星约一代。

若从导入GAA 制程角度来看，三星就可能超越台积电。原因是三星2022 年就开始试产3 纳米制程导入GAA，但台积电要到2023 年才开始由2 纳米导入GAA，更不用说英特尔2024 年才采用改良自GAA 制程技术的RibbonFET 制程生产2 纳米。三星进一步领先竞争对手，也有机会取得客户青睐。

虽然市场第一个量产3 纳米制程的头衔将由台积电拿下，但先导入GAA 制程技术是三星。透过GAA 制程改变，三星预计可弯道超车台积电。

李在镕出狱将寻找更多大规模并购，实现弯道超车台积电

此外三星电子副会长李在镕将于本周五（13日）假释出狱，但能否立即复职还有变数。李在镕入狱后的几个月，全球陷入芯片荒的状态，而外媒认为李在镕这次假释出狱有助于重大并购以及在美投资案。

法务部长朴范界表示，考虑到民众情绪、李在镕狱中态度，以及Covid-19 疫情对国家和全球经济等因素，决定给予李在镕假释机会。而李在镕已经在上个月服满6成刑期，符合假释规定的服满5 到9 成刑期。

虽然李在镕本周五可以假释出狱，但依照韩国规定，假释后的5年内必须受就业限制。

李在镕今年1 月因涉及与韩国前总统朴槿惠亲信干政事件有关的行贿案，被韩国首尔高等法院判处有期徒刑2 年6 个月，当庭逮捕，扣除2017 年先遭羁押的时间，剩约1 年半刑期，原本预计明年中刑满。

在他入狱后的几个月，全球半导体产业供应紧张，加上三星促成了美国Covid-19 疫苗交易，使商界领袖和政治家不断要求当局释放李在镕。但社运人士批评，此举证明韩国对于财阀有特别优待。

彭博社认为，李在镕如果重返三星，很可能加快美国170 亿美元的投资计划或重大并购。三星已经宣布计划在美建立芯片厂，以缩小跟台积电的差距，该举动同时也促成三星生物制剂（SamsungBiologics）与莫德纳生产疫苗的协议。

花旗分析师Peter Lee则认为，李在镕出狱后，三星将寻找更多大规模并购的机会，推动公司的长期成长，实现弯道超车台积电。